Erase operation2 ISPE(Incremental Step Pulse Erasure) 설명 ISPE란 무엇인가? ISPP와 동일한 방법으로 지우기 시에 단계별로 ramp pulse step을 특정 전압만큼 상승시켜가며 진행하는 Erasure 방법을 의미하며, 문턱 전압 분포 폭을 획기적으로 축소시키는 유용한 방법이다. 일반적으로, 프로그램인 경우는 전체 셀이 "0"이 되는 pattern은 존재하지 않기 때문에 셀 전제를 100% 프로그램시키지는 않는다. 그렇지만, 지우기인 경우는 data pattern 형성과 관계없기 때문에 block 내의 전체 셀을 한꺼번에 100% 지우기를 한다. 그런데 지우기를 할 전체 셀에 높은 지우기 전압을 가하여 1 pulse로 동시에 지워버리면, 지우기 분포 target 폭의 범위 이내로 들어오지 않는 셀들이 발생하고, 프로그램 분포 width가 넓어지는 원인과 .. 2022. 10. 4. Erase Condition과 Erase Time Erase Condition Floating Gate가 프로그램 상태이건, No Charge 상태이건, 전자를 방전시키기 위해서는, Floating Gate의 사방이 절연물질로 둘러싸여 있어서, Floating Gate에 강한 전압 차이를 만들어 주어야 한다. 지우기 전압으로는 프로그램 operation에서 사용하였던 약 20V 정도의 고전압을 그대로 사용해야 한다. Biasing 조건으로는 셀들을 지우기 위하여 target string들이 포함되어 있는 Well에 20V를 인가하면, bit line에는 문턱 전압만큼 차감된 전압이 인가된다. Target block의 해당 word line의 모든 트랜지스터의 gate에 0V를 가하면, Floating Gate 내의 전자는 20V의 전압차로 인하여 기판의.. 2022. 10. 3. 이전 1 다음
