반도체21 Vpass와 Read Disturbance 그리고, Read와 Verify의 차이 Vpass 전압 이란 Vpass 전압은 Cell들이 어떠한 환경 아래에서도 pass 되는 전압을 의미한다. Read 기능을 수행하는 데 있어서 전제조건은 같은 string에 매달려있는 Pass 트랜지스터들은 항상 전류가 흐르는 조건이어야, target cell들의 측정이 가능하다. 이때 string 내의 pass 용도의 모든 Floating Gate 셀들이 pass 되도록 할 수 있는 전압 치를 Vpass 전압이라고 한다. 즉, Unselected cell들이 program 혹은 erasure 등 어떤 상태로 되어있든 상관없이, bit line의 string에 달린 unselected cell 들의 gate에 적당히 높은 전압을 가하여, unselected cell 들이 모두 전류가 흐르도록 조정되어야 .. 2022. 10. 10. Read Operation에 대한 설명 Read Operation 이란? 낸드플래시 메모리의 basic operation은 program, erasure, read로 나눌 수 있는데, 그중에 read operation이 가장 기본적인 동작이 된다. Read operation과 비슷한 operation으로 verification 동작이 있는데, verification 동작도 read 동작의 일종이며, verification은 프로그램 후에 프로그램 수행 여부를 확인하는 프로그램 verification과 지우기를 한 후에 잘 지워졌는지 확인하는 erasure verification이 있어서, 결국 read operation은 낸드의 majority operation area에서 모두 수행된다고 볼 수 있다. 프로그램과 지우기 후에는 verific.. 2022. 10. 6. Erasure Verification에 대한 이해 Erasure Verification이란? Erasure Verification은 ISPE의 각각 step 별로, 혹은 지우기 operation을 완료 후에, 지우기가 제대로 되었는지를 검증하는 동작이다. 이는 기능적으로 볼 때, read operation 혹은 program Verification과 거의 유사한 기능으로, Floating Gate가 원하는 문턱 전압 Level까지 제대로 전자들이 방전되었나를 점검하여, 목표에 충족하지 못한 것으로 확인되면, 지우기를 계속 수행한다. 문턱 전압값 중에서 read level과 프로그램 Verification level, Erasure Verification은 제각각 목적에 맞도록 다르게 설정되어 있다. Erasure Verification 레벨은 문턱 전압.. 2022. 10. 5. ISPE(Incremental Step Pulse Erasure) 설명 ISPE란 무엇인가? ISPP와 동일한 방법으로 지우기 시에 단계별로 ramp pulse step을 특정 전압만큼 상승시켜가며 진행하는 Erasure 방법을 의미하며, 문턱 전압 분포 폭을 획기적으로 축소시키는 유용한 방법이다. 일반적으로, 프로그램인 경우는 전체 셀이 "0"이 되는 pattern은 존재하지 않기 때문에 셀 전제를 100% 프로그램시키지는 않는다. 그렇지만, 지우기인 경우는 data pattern 형성과 관계없기 때문에 block 내의 전체 셀을 한꺼번에 100% 지우기를 한다. 그런데 지우기를 할 전체 셀에 높은 지우기 전압을 가하여 1 pulse로 동시에 지워버리면, 지우기 분포 target 폭의 범위 이내로 들어오지 않는 셀들이 발생하고, 프로그램 분포 width가 넓어지는 원인과 .. 2022. 10. 4. 이전 1 2 3 4 ··· 6 다음
