반도체21 Cell과 Bit Line의 Inhibit 동작에 대한 이해 Inhibit 동작에 대한 설명 Inhibit이란 activity가 발생되지 않도록 막는 것을 말하며, 낸드는 inhibit operation을 자주 사용한다. inhibit은 Cell inhibit, Bit line inhibit, block inhibit이 있다. 프로그램 시에는 Cell inhibit과 Bit Line inhibit을 사용하고, 지우는 동작에서는 block을 inhibit 시켜서 target block 이외 block의 지우기를 막는다. 칩의 write protection도 chip의 프로그램 동작이 불가능하도록 하는 chip inhibit의 일종인 것이다. Cell Inhibit과 Bit Line Inhibit에 대한 설명 Cell Inhibit의 목적은 프로그램이 완료된 셀의 F.. 2022. 10. 3. Program Operation의 특징과 설명 Floating Gate와 프로그램 프로그램은 셀이 평형상태 혹은 지워진 상태에서 입력된 pattern에 맞게 의도한 상태로 변화시켜 cell을 구분함으로써, "0"과 "1"의 조합된 pattern이 정보의 의미를 갖도록 하는 데 목적이 있다. 전기적으로는 전자가 충전되지 않은 평형상태 혹은 전자가 소거된 상태의 Floating Gate에 전자를 충전시켜, Floating Gate를 마이너스 potential 레벨로 만든 현상이다. 프로그램 상태를 표시하는 방식에 있어서는, Floating Gate에 전자가 충전되면, 기판의 전자 Channel 형성을 방해하여 전류가 흐르지 못하므로 프로그램 셀을 Off 셀 혹은 "0" 셀로 표시하고, 반대로 지워진 셀은 N-Channel의 형성을 도와주어 전류가 쉽게 .. 2022. 10. 3. 비휘발성 메모리의 SLC/MLC/TLC 동작 SLC/MLC/TLC Data가 Chip에 input 되면, 정보를 physical 셀에 저장하기 위하여 data를 data register에서 코딩 화한다. 코딩 시는 SLC/MLC/TLC에 따라 제각기 다른 코딩 방식이 적용되는데, 코딩되어 bit 묶음으로 변형된 data들은, 물리적인 주소가 지정되면, 해당 셀에 프로그램됨에 따라 SLC 용량에서 MLC는 2배로, TLC는 3배로 확장된다. Encoding 된 정보는 사전에 정해진 규칙에 따라 Floating Gate의 전자 충전 레벨이 정해지고, 프로그램 방식도 분포 형성의 복잡도로 인하여 제품별로 약간씩 다르게 적용된다. 셀 내에 프로그램된 data를 꺼낼 때는 data를 input 할 때와는 반대의 방향으로 진행한다. Data를 꺼댄다는 것은 .. 2022. 10. 3. 낸드플레시, 동작의 임계전압인 문턱전압(2) 문턱 전압에 의한 Channel 변화 전자가 Floating Gate에 충전되어 있고, 기판의 channel에는 전자 channel이 적절히 형성되어 있다고 가정하면, 게이트와 소스의 전압 차이가 감소할수록 Floating Gate 내의 전자들은 전체 양에서는 변함이 없지만, 게이트와 소스 전압의 감소에 반발하여 전자들이 Floating Gate 하단 쪽으로 이동하게 되고, Floating Gate 내의 정공들은 Control Gate 단자 쪽으로 접근한다. Floating Gate 하단의 전자들은 소스와 드레인 사이에 Channel로 형성되어 있는 전자들을 밀어내고 양전하를 끌어당겨, 전자 Channel 두께가 게이트와 소스의 전압 차이에 비례하여 얇아지고, 길이도 짧아진다. Control Gate에 .. 2022. 10. 3. 이전 1 2 3 4 5 6 다음
