스위치1 낸드플레시, 동작의 임계전압인 문턱전압(2) 문턱 전압에 의한 Channel 변화 전자가 Floating Gate에 충전되어 있고, 기판의 channel에는 전자 channel이 적절히 형성되어 있다고 가정하면, 게이트와 소스의 전압 차이가 감소할수록 Floating Gate 내의 전자들은 전체 양에서는 변함이 없지만, 게이트와 소스 전압의 감소에 반발하여 전자들이 Floating Gate 하단 쪽으로 이동하게 되고, Floating Gate 내의 정공들은 Control Gate 단자 쪽으로 접근한다. Floating Gate 하단의 전자들은 소스와 드레인 사이에 Channel로 형성되어 있는 전자들을 밀어내고 양전하를 끌어당겨, 전자 Channel 두께가 게이트와 소스의 전압 차이에 비례하여 얇아지고, 길이도 짧아진다. Control Gate에 .. 2022. 10. 3. 이전 1 다음