낸드플래시9 Read Operation에 대한 설명 Read Operation 이란? 낸드플래시 메모리의 basic operation은 program, erasure, read로 나눌 수 있는데, 그중에 read operation이 가장 기본적인 동작이 된다. Read operation과 비슷한 operation으로 verification 동작이 있는데, verification 동작도 read 동작의 일종이며, verification은 프로그램 후에 프로그램 수행 여부를 확인하는 프로그램 verification과 지우기를 한 후에 잘 지워졌는지 확인하는 erasure verification이 있어서, 결국 read operation은 낸드의 majority operation area에서 모두 수행된다고 볼 수 있다. 프로그램과 지우기 후에는 verific.. 2022. 10. 6. ISPE(Incremental Step Pulse Erasure) 설명 ISPE란 무엇인가? ISPP와 동일한 방법으로 지우기 시에 단계별로 ramp pulse step을 특정 전압만큼 상승시켜가며 진행하는 Erasure 방법을 의미하며, 문턱 전압 분포 폭을 획기적으로 축소시키는 유용한 방법이다. 일반적으로, 프로그램인 경우는 전체 셀이 "0"이 되는 pattern은 존재하지 않기 때문에 셀 전제를 100% 프로그램시키지는 않는다. 그렇지만, 지우기인 경우는 data pattern 형성과 관계없기 때문에 block 내의 전체 셀을 한꺼번에 100% 지우기를 한다. 그런데 지우기를 할 전체 셀에 높은 지우기 전압을 가하여 1 pulse로 동시에 지워버리면, 지우기 분포 target 폭의 범위 이내로 들어오지 않는 셀들이 발생하고, 프로그램 분포 width가 넓어지는 원인과 .. 2022. 10. 4. Erase Operation과 Electron 방출 및 방전 지우기 동작에 대한 설명 지우기 operation은 block 단위로 수행하지만, Floating Gate로부터의 전자 방출은 셀 레벨로 표현하는 것이 좋겠다. 지우기 상태란, 물리적으로는 전자가 충전되지 않은 평형상태 혹은 전자가 소거된 Floating Gate의 상태이고, 지우기 operation은 정공을 충전시키거나 전자를 방전시켜서 Floating Gate가 Plus Potential 화 되어가는 동작이다. Floating Gate에 정공이 충전되면 기판에 전자 Channel이 활성화되고, 이를 bridge 삼아 소스에서 드레인으로 전자가 원활히 흐르므로 지워진 셀은 On 셀로 표현한다. 즉, 지워진 상태는 셀에 프로그램을 진행하기 전의 프로그램을 하기 위한 준비된 상태이고, 지우기 분포는 프로그.. 2022. 10. 3. Program Verification에 대한 설명 Program Verification 이란 프로그램 operation을 실행한 후에는 Verification 전압을 Control Gate에 가하면서 Verification을 하여, Program 분포가 얼마나 narrow 하게 잘 형성되었는지, 또 target program 전압의 레벨 이상으로 program이 안착하였는지 확인할 필요가 발생하고, 이런 확인하는 동작을 Program verification이라고 한다. 모든 Floating Gate가 지워진 상태일 때는 일정 레벨을 기준으로 프로그램 Verification을 실시하면, 모든 셀이 On 상태로 나타난다. 지워진 상태부터 출발하여 프로그램이 점차 진행되면서 Verification 결과에 따라, 추가적인 프로그램을 진행하여 셀들이 일정 레벨 .. 2022. 10. 3. 이전 1 2 3 다음
